Назначение
для ПК и ноутбука
Емкость
1000 ГБ
Тип флэш-памяти
3D V-NAND
Форм - фактор
2280
Шифрование данных
есть
Объем буфера
1024 МБ
Скорость чтения
3500 МБ/с
Скорость записи
3300 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)
550000 IOPS
Суммарное число записываемых байтов (TBW)
600 ТБ
Контроллер
Samsung Phoenix
Интерфейсы
PCI-E
Поддержка секторов размером 4 КБ
есть
Разъем M.2
есть
Интерфейс PCI-E
есть
Тип PCI-E
PCI-E 3.0 x4
Поддержка NVMe
есть
Поддержка TRIM
есть
Время наработки на отказ
1500000 ч
Макс. рабочая температура
70° C
Ударостойкость при хранении
1500 G
Ударостойкость при работе
1500 G
Ширина
22.15 мм
Высота
2.38 мм
Длина
80.15 мм
Вес
8 г