Назначение
для ноутбука и настольного компьютера, игровой
Емкость
1024 ГБ
Тип флэш-памяти
V-NAND 2-bit MLC
Форм - фактор
2280
Объем буфера
1024 МБ
Скорость чтения
3500 МБ/с
Скорость записи
2700 МБ/с
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ)
500000 IOPS
Суммарное число записываемых байтов (TBW)
1200 ТБ
Контроллер
Samsung Phoenix
Интерфейсы
PCI-E
Разъем
M.2
Тип PCI-E
PCI-E 3.0 x4
Время наработки на отказ
1500000 ч
Поддержка технологий
TRIM, NVMe, Шифрование данных, Поддержка секторов размером 4 КБ
Макс. рабочая температура
70 °C
Потребляемая мощность
5.7 Вт
Ударостойкость при хранении
1500 G
Ударостойкость при работе
1500 G
Высота
2.38 мм
Длина
80.15 мм
Ширина
22.15 мм
Вес
8 г
Дополнительная информация
NVMe 1.3