Бренд
AMD
Объем
1 модуль 8 ГБ
Пропускная способность
21300 МБ/с
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Напряжение питания
1.2 В
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Радиатор
есть
Row Precharge Delay (tRP)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
35
Гарантийный срок
2 г.
Форм - фактор
DIMM 288-контактный
Поддержка ECC
нет
Тактовая частота
2666 МГц
Тип памяти
DDR4
CAS Latency (CL)
16