Бренд
SAMSUNG
Объем
1 модуль 8 ГБ
Пропускная способность
23400 МБ/с
Поддержка XMP
нет
Буферизованная (Registered)
да
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Напряжение питания
1.2 В
Количество ранков
1
Форм - фактор
DIMM 288-контактный
Поддержка ECC
есть
Тактовая частота
2933 МГц
Тип памяти
DDR4
CAS Latency (CL)
21