Тип памяти
DDR3L
Форм-фактор
SODIMM 204-контактный
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Объем
1 модуль 8 ГБ
Тактовая частота
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
CAS Latency (CL)
11
Напряжение питания
1.35 В
Количество ранков
2
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
Row Precharge Delay (tRP)
11
Гарантийный срок
10 лет