Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Количество чипов каждого модуля
8, односторонняя упаковка
Объем
1 модуль 4 ГБ
Тактовая частота
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
CAS Latency (CL)
11
Напряжение питания
1.5 В
Количество ранков
1
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
Row Precharge Delay (tRP)
11
Гарантийный срок
10 лет