Тип памяти
DDR4
Форм - фактор
SODIMM 260-контактный
Тактовая частота
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
CAS Latency (CL)
22
Напряжение питания
1.2 В
Количество ранков
2
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
22
Activate to Precharge Delay (tRAS)
52
Row Precharge Delay (tRP)
22