Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM 260-контактный
Объем
1 модуль 8 ГБ
Тактовая частота
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
CAS Latency (CL)
19
Напряжение питания
1.2 В
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
43
Row Precharge Delay (tRP)
19
Гарантийный срок
10 лет