Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM 288-контактный
Объем
1 модуль 16 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
CAS Latency (CL)
22
Напряжение питания
1.2 В
Количество ранков
1
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
22
Activate to Precharge Delay (tRAS)
52
Row Precharge Delay (tRP)
22
Гарантийный срок
10 лет