Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM 288-контактный
Количество чипов каждого модуля
16
Объем
1 модуль 32 ГБ
Тактовая частота
2933 МГц
Пропускная способность
23400 МБ/с
CAS Latency (CL)
21
Количество ранков
1
Поддержка ECC
есть
Буферизованная (Registered)
да
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
21
Row Precharge Delay (tRP)
21