Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM 260-контактный
Количество чипов каждого модуля
8, двусторонняя упаковка
Объем
1 модуль 8 ГБ
Тактовая частота
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
CAS Latency (CL)
19
Напряжение питания
1.2 В
Количество ранков
1
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Гарантийный срок
10 лет