Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM 260-контактный
Количество чипов каждого модуля
4, односторонняя упаковка
Объем
1 модуль 4 ГБ
Тактовая частота
2400 МГц
Пропускная способность
19200 МБ/с
CAS Latency (CL)
17
Напряжение питания
1.2 В
Количество ранков
1
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
17
Row Precharge Delay (tRP)
17
Гарантийный срок
60 мес.