Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM 240-контактный
Количество чипов каждого модуля
8, односторонняя упаковка
Объем
1 модуль 4 ГБ
Тактовая частота
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
CAS Latency (CL)
11
Напряжение питания
1.5 В
Количество ранков
1
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
да
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Гарантийный срок
600 мес.