Тип памяти
DDR4
Форм - фактор
DIMM 288-контактный
Количество чипов каждого модуля
16, двусторонняя упаковка
Тактовая частота
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
CAS Latency (CL)
19
Напряжение питания
1.2 В
Количество ранков
1
Поддержка ECC
есть
Буферизованная (Registered)
да
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
32
Row Precharge Delay (tRP)
19