Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM 288-контактный
Объем
1 модуль 16 ГБ
Тактовая частота
3000 МГц
Пропускная способность
24000 МБ/с
CAS Latency (CL)
15
Напряжение питания
1.35 В
Количество ранков
2
Поддержка ECC
нет
Радиатор
есть
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
17
Row Precharge Delay (tRP)
17