Объем
1 модуль 64 ГБ
Пропускная способность
23400 МБ/с
Буферизованная (Registered)
да
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
21
Напряжение питания
1.2 В
Row Precharge Delay (tRP)
21
Activate to Precharge Delay (tRAS)
42
Гарантийный срок
12 мес.
Форм-фактор
DIMM 288-контактный
Поддержка ECC
есть
Тактовая частота
2933 МГц
Тип памяти
DDR4
CAS Latency (CL)
21