Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM 288-контактный
Количество чипов каждого модуля
8, односторонняя упаковка
Объем
2 модуля по 8 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
CAS Latency (CL)
16
Напряжение питания
1.2 В
Количество ранков
1
Поддержка ECC
нет
Радиатор
есть
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
36
Row Precharge Delay (tRP)
18