Тип памяти
DDR4
Форм - фактор
SODIMM 260-контактный
Тактовая частота
3000 МГц
Пропускная способность
24000 МБ/с
CAS Latency (CL)
16
Напряжение питания
1.2 В
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
Row Precharge Delay (tRP)
18