Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM 288-контактный
Объем
2 модуля по 8 ГБ
Тактовая частота
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
CAS Latency (CL)
16
Напряжение питания
1.35 В
Поддержка ECC
нет
Поддержка XMP
есть
Радиатор
есть
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
Row Precharge Delay (tRP)
18
Гарантийный срок
1 г.