Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
SODIMM 204-контактный
Количество чипов каждого модуля
8, двусторонняя упаковка
Объем
1 модуль 4 ГБ
Тактовая частота
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
CAS Latency (CL)
11
Напряжение питания
1.5 В
Поддержка ECC
нет
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Гарантийный срок
36 мес.