Объем
1 модуль 4 ГБ
Пропускная способность
21300 МБ/с
Буферизованная (Registered)
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Напряжение питания
1.2 В
Row Precharge Delay (tRP)
19
Гарантийный срок
1 г.
Форм-фактор
SODIMM 260-контактный
Тактовая частота
2666 МГц
Тип памяти
DDR4
CAS Latency (CL)
19